必听议题:碳化硅器件选型要点与国产碳化硅产业化之路
时间:6月29日 上午 10:05 - 10:35
SiC MOSFET以优异的特性大幅提高了电源性能,但同时带了使用时的技术挑战。在器件选型阶段需要关注具体应用要求与器件重点参数的联系,可以为更好地使用SiC MOSFET奠定基础。此外,国产碳化硅产业发展势头正旺,政府和投资机构密切关注,电源工程师也陷入了国产器件选择困难。了解国产器件发展现状、产业化模式、未来预期,将为广大行业相关人员提供参考。
必听议题:GaN功率器件应用于高频电源的优势与挑战
时间:6月29日 上午 10:35 - 11:05
电能的转换和利用离不开功率半导体,氮化镓具备更低的开关的损耗和更低的单位面积导通阻抗,能使能源的利用更高效,更节能,助力碳达峰和碳中和。与硅器件相比,氮化镓的高频特性提升了十倍以上,这将推动能源转换系统工作频率的提高,从而提升单位体积的能源转换功率,实现更高的功率密度。同时更高工作频率可以使系统的动态响应更快,能更好的匹配负载的动态需求。氮化镓的应用前景广阔,将在消费电子,数据中心,新能源汽车,新能源发电与储能等领域发挥重要作用,做为新一代半导体,其产品测试评估、应用生态、应用系统设计、市场推广,带来了一些新的挑战,需要全产业链共同努力完善。
必听议题:宽禁带半导体的发展趋势与测试挑战
时间:6月29日 下午 13:30 - 14:00
如今宽禁带半导体,在电动汽车、城市空气流动系统、充电系统、电机驱动和高效功率转换等领域不断有新的应用出现。这些应用对器件的功率密度、可靠性、尺寸、封装和成本方面提出了新的挑战。电压和电流要求使得测量方法、标准和测试工具比以往任何时候都更加重要。泰克行业专家将为您介绍宽禁带半导体未来的发展趋势,以及应对这些趋势可能需要的测试要求。