必听议题：碳化硅器件选型要点与国产碳化硅产业化之路
时间：6月29日 上午 10:05 - 10:35
SiC MOSFET以优异的特性大幅提高了电源性能，但同时带了使用时的技术挑战。在器件选型阶段需要关注具体应用要求与器件重点参数的联系，可以为更好地使用SiC MOSFET奠定基础。此外，国产碳化硅产业发展势头正旺，政府和投资机构密切关注，电源工程师也陷入了国产器件选择困难。了解国产器件发展现状、产业化模式、未来预期，将为广大行业相关人员提供参考。
必听议题：GaN功率器件应用于高频电源的优势与挑战
时间：6月29日 上午 10:35 - 11:05
电能的转换和利用离不开功率半导体，氮化镓具备更低的开关的损耗和更低的单位面积导通阻抗，能使能源的利用更高效，更节能，助力碳达峰和碳中和。与硅器件相比，氮化镓的高频特性提升了十倍以上，这将推动能源转换系统工作频率的提高，从而提升单位体积的能源转换功率，实现更高的功率密度。同时更高工作频率可以使系统的动态响应更快，能更好的匹配负载的动态需求。氮化镓的应用前景广阔，将在消费电子，数据中心，新能源汽车，新能源发电与储能等领域发挥重要作用，做为新一代半导体，其产品测试评估、应用生态、应用系统设计、市场推广，带来了一些新的挑战，需要全产业链共同努力完善。
必听议题：宽禁带半导体的发展趋势与测试挑战
时间：6月29日 下午 13:30 - 14:00
如今宽禁带半导体，在电动汽车、城市空气流动系统、充电系统、电机驱动和高效功率转换等领域不断有新的应用出现。这些应用对器件的功率密度、可靠性、尺寸、封装和成本方面提出了新的挑战。电压和电流要求使得测量方法、标准和测试工具比以往任何时候都更加重要。泰克行业专家将为您介绍宽禁带半导体未来的发展趋势，以及应对这些趋势可能需要的测试要求。
