1.英诺赛科“一种GaNHEMT器件及其制作方法”专利获授权2.亿智电子“深度学习模型的定点量化方法及装置”专利获授权3.必易微“原边控制电路、功率变换器及其控制方法”专利获授权5.云途半导体“一种车规芯片中存储失效检测与修复方法及装置”专利获授权
1.英诺赛科“一种GaNHEMT器件及其制作方法”专利获授权
天眼查显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司近日取得一项名为“一种GaNHEMT器件及其制作方法”的专利，授权公告号为CN118016710B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2024年4月10日。
本发明公开了一种GaN HEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小于10nm；凹陷调整层的厚度大于或等于100nm，且小于200nm。本发明能够可以改善GaN HEMT器件的凹陷，减少后续加工工艺的复杂度，防止由于凹形翘曲导致的GaN HEMT器件边缘生成裂纹，同时避免了裂纹过长导致破片的风险。
2.亿智电子“深度学习模型的定点量化方法及装置”专利获授权
天眼查显示，珠海亿智电子科技有限公司近日取得一项名为“深度学习模型的定点量化方法及装置”的专利，授权公告号为CN113408696B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2021年5月17日。
本发明公开了深度学习模型的定点量化方法及装置，该方法包括以下步骤：输入校准数据至目标模型，按顺序将目标模型的模型参数和激活值作为量化对象，执行以下步骤：输入校准集数据，按层提取目标模型的量化对象，获取量化对象的分布直方图，通过自适应KL散度方程对量化对象的分布直方图进行缩放，并基于预设量化位数获取不同的小数点位置对应的KL散度值，比较得出量化对象的第一量化结果。本发明弥补了KL散度算法仅关注概率的缺陷，优化量化结果，在保证量化后的模型一定的精度的情况下，能大幅度提升量化的速度，提高了量化的效率，节省了时间。
3.必易微“原边控制电路、功率变换器及其控制方法”专利获授权
天眼查显示，深圳市必易微电子股份有限公司近日取得一项名为“原边控制电路、功率变换器及其控制方法”的专利，授权公告号为CN112134466B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2020年9月9日。
本申请公开了一种原边控制电路、功率变换器及其控制方法。该原边控制电路包括开关控制模块和保护模块，通过开关控制模块控制功率变化器的变压器的原边绕组上连接的第一开关管，保护模块根据与功率变换器的输出端连接的反馈环路提供的反馈信号控制第一开关管执行保护，其中，该保护模块根据所述反馈信号产生与所述输出端的故障事件相对应的保护信号控制所述第一开关管的导通状态，以执行保护动作。该原边控制电路基于功率变换器输出端的反馈信号启动对原边的保护动作，以控制电路保护状态的工作可靠性和稳定性。
4.OPPO“手机的摄像头”专利获授权
天眼查显示，OPPO广东移动通信有限公司近日取得一项名为“手机的摄像头”的专利，授权公告号为CN308711759S，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2021年6月25日。
1.本外观设计产品的名称：手机的摄像头。2.本外观设计产品的用途：整体用于移动通讯、数据处理等，局部用于摄影。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
5.云途半导体“一种车规芯片中存储失效检测与修复方法及装置”专利获授权
天眼查显示，江苏云途半导体有限公司近日取得一项名为“一种车规芯片中存储失效检测与修复方法及装置”的专利，授权公告号为CN118093293B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2024年4月24日。
本发明涉及一种车规芯片中存储失效检测与修复方法及装置，所述装置包括：所述装置和车规芯片存储总线相连以对车规芯片上设置的各类型存储单元进行监测；所述装置包括：片上存储总线监测模块、片上存储访问模块、片上存储冗余块替换控制模块、MFMU中断和复位模块；本发明采用热替换进行检测和修复方式，可以在操作系统运行时动态监测片上存储是否有潜在或永久失效风险，不需要停机，不会增加系统负担。
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